个人简介

陈超，女，讲师，硕士生导师。

2018年博士毕业于亚琛工业大学物理系；2018至2021年在华中科技大学光学与电子信息学院，从事博士后研究；2022年3月加入数理科学学院物理系。

联系方式：chenchao@njtech.edu.cn

办公地点：笃行楼218

研究方向：硫系相变材料的相变机理、性能优化及其非易失性存储应用；半导体薄膜材料光电性质的实验表征与第一性原理计算研究，通过理论与实验结合，改进功能材料的设计与器件性能。

招生方向

凝聚态物理

教学工作

主要讲授《大学物理》《大学物理实验》《固体光学性质》等课程。

教学成果与学生指导：

（1）第十四届江苏省高校基础物理教师上好一堂课竞赛（理论组），二等奖.

（2）2025年南京工业大学微课比赛，一等奖.

科研情况

围绕硫系相变薄膜的微观结构演化、相变物理机理、电学输运特性及红外光电响应规律开展系统性研究，采用实验表征与多物理场仿真相结合的研究手段，揭示材料结构‑性能之间的构效调控机制，并探索其在相变存储、红外光学器件、微纳超表面光子器件等方向的应用潜力。

1. 科研项目

国家自然科学青年基金项目，Sb2Te3/GeTe超晶格的电阻漂移特性及阻变机理研究，主持，30万，2026.01-2028.12。

江苏省高等学校（自然科学）研究面上项目，硫系相变材料电阻非线性行为的研究，主持，5万，2022.07-2024.06。

2. 代表性论文

[1] Chao Chen, Chong Qiao, Ming Xu, Xiaoshui Miao, Temperature dependent dielectric properties of GeTe-rich (GeTe)x(Sb2Te3)1-x glass, Applied Physics Letters, 2022.

[2] Chao Chen, Shu Chen, Peining Li, Rainer Hillenbrand, et al., Terahertz nanoimaging and nanospectroscopy of chalcogenide phase-change materials, ACS Photonics, 2020, 7(12), 3499-3506.

[3] Chao Chen, Jun Lin, Ming Xu, Xiangshui Miao, et al., Characterizations of electronic and optical properties of Sb-based phase-change material stabilized by alloying Cr. Applied Physics Letters, 2021, 118(4), 042104.

[4] Chao Chen, Peter Jost, Volker Hanno, Matthias Wuttig, et al., Dielectric properties of amorphous phase-change materials, Physical Review B, 2017, 95(9), 094111.(ESI高被引133次)

[5] Jean Yves Raty, Wei Zhang, Jennifer Luckas, Chao Chen, Riccardo Mazzarello, Matthias Wuttig, et al., Aging mechanisms in amorphous phase-change materials, Nature Communications, 2015, 6(1), 7467.

[6] Chao Chen, Yan Liang, Xiaoyong Gao, Surface texture of pulse-magnetron-sputtered ZnO:Al films by using a diluted NH4Cl aqueous solution, Journal of the Korean Physical Society, 2015, 66(10), 1569-1574.

[7] Chao Chen, Yong Ji, Xiaoyong Gao, et al., Study on the deposition of aluminum-doped zinc oxide films using direct-current pulse magnetron reactive sputtering technique, Acta Physica Sinica, 2012, 3, 036104.

[8] Xiaoyong Gao, Chao Chen, Sa Zhang, Optical properties of aluminum-doped zinc oxide films deposited by direct-current pulse magnetron reactive sputtering, Chinese Physics B, 2014, 23(3), 030701.